InGaAs-PIN光電探測器HCA-S-200M-IN-FC/FST

簡要描述：

對于 InGaAs 型號，集成放大器的阻抗為 2 × 10^4 V/A，1550 nm 處的最大轉換增益為 1.9 × 10^4 V/W。復雜的直流耦合多級放大器設計可以測量直流至高達 200 MHz 的帶寬，對應的上升時間低至 1.8 ns。InGaAs-PIN光電探測器HCA-S-200M-IN-FC/FST

更新時間：2024-09-04

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廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

生產(chǎn)地址：德國

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產(chǎn)品介紹：

HCA-S-200M 配備大面積 Si-PIN 和 InGaAs-PIN 光電二極管，覆蓋 320 至 1000 nm 或 900 至 1700 nm 的光譜范圍。

對于 InGaAs 型號，集成放大器的阻抗為 2 × 10^4 V/A，1550 nm 處的最大轉換增益為 1.9 × 10^4 V/W。復雜的直流耦合多級放大器設計可以測量直流至高達 200 MHz 的帶寬，對應的上升時間低至 1.8 ns。 5 W/√Hz 的低噪聲等效功率 (NEP) 允許使用微瓦范圍內(nèi)的光功率進行檢測，而無需進行信號平均。這意味著可以直接檢測低至微瓦范圍的短脈沖，而無需額外的信號平均。

型號	HCA-S-200M-SI-FC HCA-S-200M-SI-FST	HCA-S-200M-IN-FC HCA-S-200M-IN-FST
光電二極管	0.8mm ? Si-PIN	0.3mm ? InGaAs PIN
光譜范圍	320 ~ 1100 nm	900 ~ 1700 nm
帶寬 (-3dB)	DC - 200 MHz	DC - 200 MHz
上升/下降時間 (10%~90%)	1.8 ns	1.8 ns
跨阻增益	2 x 10^ 4 V/A	2 x 10^ 4 V/A
最大轉換增益	6.2 x 10 6 V / W (@ 900nm)	9.5 x 10 6 V / W (@ 1550 nm)
最小 NEP (@10kHz)	1.1 × 10 4 V / W (@ 800n)	9.5 x 10^6 V/W (@ 1550nm)

輸出電壓±1.2 V(用于50 Ω負載下的線性操作)。偏移可通過電位計調(diào)節(jié)。輸出短路保護。帶自由空間輸入的光接收器配有螺紋 M4 和 8-32 安裝孔，可與標準安裝柱一起使用。電源±15 V，通過 3 針 Lemo ® 插座。設備隨附配套連接器。可選電源 PS-15 可用。有關更多信息，請查看數(shù)據(jù)表或聯(lián)系 FEMTO。

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